[口头报告]High mobility and broad spectral responsivity thin film transistors with ultrathin niobium-doped indium oxide channel layer

High mobility and broad spectral responsivity thin film transistors with ultrathin niobium-doped indium oxide channel layer
编号：200 访问权限：公开 更新：2023-12-14 17:27:34 浏览：808次 口头报告

报告开始：2021年06月29日 12:25 （Asia/Shanghai）

报告时间：20min

所在会议：[C] Session C » [C1] Session block C-1

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摘要
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关键字
报告人
陈亦哲
工程师 中国科学院武汉病毒研究所

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